作者：杨贤军 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2014年第07期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2014070330 DOC编号：DOCDZAL2014070339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • GaN基半导体具有击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、介电常数小、热导率大、抗辐射能力强等优点，广泛应用军用电子器件的制造。介绍了GaN器件在军事雷达、探测器以及激光引信等军事领域中的应用。

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