作者:李海博,尹延昭,郑丽 单位:黑龙江省创联文化传媒有限公司 出版:《科技创新与应用》2014年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCXYY2014020060 DOC编号:DOCCXYY2014020069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性》PDF+DOC2020年第07期 陆学斌,于斌 《掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数及其线性度的影响》PDF+DOC2009年第01期 陆学斌,刘晓为,揣荣岩,施长治 《膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响》PDF+DOC2007年第11期 刘晓为,潘慧艳,揣荣岩,王喜莲,李金锋 《多晶硅敏感技术(连载四)》PDF+DOC1994年第04期 王善慈 《多晶硅应变因子计算研究》PDF+DOC 王健,江健,穆罕默德 《多晶硅薄膜的结构与电学特性关系的研究》PDF+DOC1995年第01期 闫卫平,马灵芝,牛德芳 《箔式镱大压力传感器的设计与制作》PDF+DOC2004年第07期 丁世敬 ,余尚江 ,曾辉 ,杨吉祥 ,姜德亚 《柔性触觉传感器用导电橡胶压阻特性及其拟合》PDF+DOC2011年第03期 黄英,刘平,张玉刚,葛运建 《新型智能机器人触觉传感服装阵列标定的研究》PDF+DOC2011年第07期 秦岚,裴利强 《太阳能跟踪器的模拟设计》PDF+DOC 杨梦蝶
  • 多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低,效率稳定性好、光电转换效率高,多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造,其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法,结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜,根据多晶硅压阻特性理论进行了LPCVD纳米薄膜工艺试验,研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,选取了优化的工艺条件,为多晶硅纳米薄膜在今后压阻式压力传感器中的应用奠定基础。

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