作者：任臣,杨拥军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2014年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2014040080 DOC编号：DOCBDTJ2014040089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对差分电容式微电子机械系统(MEMS)加速度计，设计了一种低噪声、低功耗微电容读出专用集成电路(ASIC)。电路采用开关电容结构，使用相关双采样(CDS)技术降低电容-电压(C-V)转化电路的低频噪声和偏移电压。通过优化MEMS表头噪声匹配、互补金属氧化物半导体(CMOS)开关和低噪声运算放大器来降低频带内的混叠热噪声。采用电源开关模块和门控时钟技术来降低电路功耗，同时集成自检测电路和温度传感器。采用混合CMOS工艺进行流片加工，测试结果表明，优化后ASIC的电容分辨率为槡1.203 aF/Hz，系统分辨率为0.168 mg(量程2 g)，芯片功耗约为2 mW。同时，该ASIC还具有很好的上电特性和稳定性。

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