作者：王庆祥,孟丽娅,刘泽东,王成 单位：华北光电技术研究所 出版：《激光与红外》2014年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGHW2014020130 DOC编号：DOCJGHW2014020139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种MEMS压力传感器的工艺设计与仿真》PDF+DOC 王健,赵华强,李盛楠,曹正宗 《简讯》PDF+DOC1999年第10期 《红外生物指纹传感器》PDF+DOC2005年第06期 高 《CMOS APS器件及其在星敏感器中的应用》PDF+DOC2004年第05期 李杰,刘金国,刘亚侠,郝志航 《附录F 采用有源像元敏感器(APS)的数字式太阳敏感器》PDF+DOC2004年第Z1期 《基于有源像元敏感器(APS)的星跟踪器》PDF+DOC2003年第01期 Carl Christian Liebe,Edwin W.Dennison,郑克隆 《一种提升4T-APS像元量子效率的方法》PDF+DOC2014年第03期 李炘,唐威,张冰,李栋,何杰

    • 采用DevEdit3D构建了5&#215；5的像元结构模型，在基于Lnuminous 1μm的近红外的照射下，利用Silvaco TCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大，随衬底掺杂浓度的增大而减小；像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比，与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。

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