作者：闫旭亮,孟丽娅,袁祥辉,黄友恕,吕果林 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2014年第11期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2014110140 DOC编号：DOCBDTJ2014110149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下，其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化，因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响。辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总剂量以及剂量率等多种因素影响。设计了n型场效应晶体管辐射加固结构版图，用0.5μm CMOS工艺流片，并进行了30 kGy(Si)的总剂量辐照效应实验。实验结果显示，所设计的n型场效应晶体管在辐射之后漏电流有所增加、跨导减小、阈值电压向负向漂移；辐射加固晶体管在漏电流性能上较未加固晶体管更好，在跨导改变和阈值电压漂移上未能表现出其更优的性能。

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