作者：胡海帆,王颖,陈杰,赵士斌 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2014100100 DOC编号：DOCWLXB2014100109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出了一种双外延高能离子注入的单片集成有源像素探测器的传感器结构，以提升传感器对电荷的收集性能和辐射加固，并进行了三维工艺模拟和物理级器件仿真计算.研究结果表明，所提出的传感器结构改善了内部电场和电势的分布，且目标电极的电荷收集效率提高70%，电荷收集时间减少64%.此外，当等效中子辐射流通量在1012—1015cm-2范围内时，所提出的传感器结构比标准传感器结构有更高的电荷收集能力。

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