作者：申惠娟,陈春彩,陈源福 单位：吉林师范大学 出版：《吉林师范大学学报(自然科学版)》2014年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSLXK2014040090 DOC编号：DOCSLXK2014040099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料，利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点，但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP，并观察其对氨气的伏安特性响应，从而分析该材料的气敏特性。

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