作者：赵晓锋,邓祁,金晨晨,庄萃萃,温殿忠 单位：黑龙江大学 出版：《黑龙江大学工程学报》2017年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHLJZ2017030100 DOC编号：DOCHLJZ2017030109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 给出一种MOSFETs硅桥结构磁传感器，在方形硅膜上表面的不同位置设计4个p-MOSFETs，沟道电阻构成惠斯通电桥结构，并在方形硅膜上表面中央位置制作铁磁材料。通过采用ANSYS有限元软件建立磁传感器仿真模型，仿真结果表明，外加磁场作用下，铁磁材料受到磁场力，使硅膜发生弹性形变，产生桥路输出电压，实现对外加磁场的检测。基于仿真结果，采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作MOSFETs硅桥结构磁传感器，实验结果表明，当工作电压为1.0 V时，满量程输出为0.69 mV，灵敏度为1.54 mV/T，准确度为3.76%F.S.。

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