《一种基于自级联结构的低功耗植入式神经元放大器(英文)》PDF+DOC
作者:刘新,安广雷
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《半导体技术》2014年第09期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTJ2014090040
DOC编号:DOCBDTJ2014090049
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提出了一种基于自级联运算跨导放大器的低功耗低噪声的神经元放大器,其可用于植入式有源射频识别传感器。植入式传感器主要的难点是通过无线的方式为生物组织内功率器件或其他替代源供电的能力,介绍了一种能够由射频供电的超低功率的神经元放大器,为了减少功耗,放大器供电电压设置为0.6 V,是目前有记录的相对较低供电电压。通过测试,带通放大器的增益为25.7 dB,3 dB带宽为625 Hz~9.25 kHz,测量输入参考噪声为13.7μVrms,总功耗为1.68μW。此放大器由0.18μm CMOS工艺实现,通过低电压设计,得到一个功耗与射频功耗相匹配的植入式传感器。
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