《1.06μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究》PDF+DOC
作者:邵铭,张乐,张雷雷,柴国庆,胡琥香
单位:中国兵工学会;中国兵器工业第二0五研究所
出版:《应用光学》2014年第01期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYYGX2014010350
DOC编号:DOCYYGX2014010359
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为了对比激光对CCD、CMOS两种图像传感器的干扰效果,利用1.06μm高重频激光开展了对CCD、CMOS两种相机的饱和干扰实验研究,分析了两种相机在干扰有效面积、饱和干扰面积、干扰前后图像相关度等与激光入射功率之间的关系。实验结果表明:CMOS相机达到单元像素饱和的激光功率阈值是CCD相机的20倍;要达到相同的干扰有效面积,所需的激光功率CMOS相机要大于CCD相机10倍~100倍;要达到相同的饱和像元数,所需的激光功率CMOS相机比CCD相机约大10倍~60倍。因此,CMOS相机要比CCD相机具有更好的抗1.06μm激光干扰能力。
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