作者：张照云,施志贵,张慧,彭勃 单位：中国工程物理研究院电子工程研究所 出版：《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXXYD2014040300 DOC编号：DOCXXYD2014040309 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论，并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍，最后，给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。

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