《国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态》PDF+DOC
作者:潘仲明,周晗,张大厦,张文娜
单位:中国仪器仪表学会
出版:《仪器仪表学报》2017年第04期
页数:13页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYQXB2017040010
DOC编号:DOCYQXB2017040019
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《高温超导技术在微磁传感器中的应用与发展》PDF+DOC 王三胜,郭强
《基于铁基非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器》PDF+DOC2006年第10期 郭成锐,江建军,邸永江
《新型非晶态合金丝磁场传感器的研究》PDF+DOC2000年第03期 鲍丙豪
《基于新型LVDT信号处理芯片——AD598的传感器信号检测电路的设计》PDF+DOC 周玉涛,盛镔,朱国力,段正澄
《东方微磁:高技术壁垒磁传感器》PDF+DOC 刘岩
《基于虚拟仪器技术的巨磁阻抗测量系统》PDF+DOC2006年第07期 郭成锐,江建军,邸永江
《巨磁电阻传感器的研究》PDF+DOC2010年第03期 黄开连,李衡,莫海云,梁济仁
《一种车身高度传感器信号检测电路的设计与分析》PDF+DOC2009年第08期 王炳,陈照章,徐兴
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《新型巨磁阻抗传感器的特性研究》PDF+DOC2007年第03期 张清,李欣,王清江,李小平,赵振杰
基于非晶态合金材料巨磁阻抗(GMI)效应和非对称巨磁阻抗(AGMI)效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一。一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器。然而,迄今为止,国外研发的绝大多数高分辨力GMI磁传感器仍停留在原理样机阶段,其主要技术指标甚至低于商品化各向异性磁阻(AMR)和巨磁电阻(GMR)磁传感器。简要叙述了非晶态合金材料的GMI效应和退火处理对GMI效应的影响,重点介绍了国外研发的各种不同类型的基于非晶丝(带)的GMI磁探头、模拟信号检测电路及其参考性能指标,并探讨了研发高灵敏度GMI磁传感器的关键技术。
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