作者：武世祥,余涛,王鹏,徐慧忠,张万里 单位：中国西南应用磁学研究所 出版：《磁性材料及器件》2014年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCXCQ2014040090 DOC编号：DOCCXCQ2014040099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用射频(直流)磁控溅射的方法，在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分，设计了惠斯通电桥的尺寸，并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响，确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成，成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。

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