作者：张卫红,周静,郑玉浩,刘春光 单位：天华化工机械及自动化研究设计院 出版：《化工自动化及仪表》2014年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHGZD2014050180 DOC编号：DOCHGZD2014050189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 通过实验对纳米线探测NH3时电导增大这一结论的适用条件进行了补充。研究了传感器响应与纳米线氧空穴掺杂浓度的关系。对比实验结果表明：在检测NH3气体时高掺杂的纳米线电导降低，低掺杂的纳米线电导增大。此外，还观察了纳米传感器暴露在高浓度NH3中产生的“门屏蔽效应”，这是由于NH3分子吸附在In2O3纳米线上成为电荷陷阱导致的。

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