作者：张跃,林沛,闫小琴,廖庆亮,丁一 单位：北京新材料发展中心 出版：《新材料产业》2014年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXCLY2014100180 DOC编号：DOCXCLY2014100189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、氧化锌(ZnO)半导体材料作为典型的第3代半导体材料，半导体氧化锌(ZnO)激子结合热能高达60meV，远大于室温下的热能(26meV)。这样，ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射，这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子体的受激发射模式的阈值低2个量级以上。因此与Ⅲ族氮化物相比，ZnO其在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势，已经成为目前半导体研究领域中的热点。然而，目前这些研究主要集中在ZnO的光学性能方面，其压电性能往

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