作者：邓刚,韩恒利,钟四成 单位：西安电子科技大学 出版：《电子科技》2014年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZKK2014020210 DOC编号：DOCDZKK2014020219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种研磨减薄和化学腐蚀结合的方法，减薄CCD衬底。研磨减薄采用三氧化二铝的颗粒，减薄硅片至100μm，化学腐蚀采用HF酸、硝酸、冰乙酸组成的混合溶液。实验表明，HF酸、硝酸、冰乙酸比例为2∶1∶11时，混合溶液对衬底与外延层的腐蚀速率比达到89∶1。使用本技术减薄1 024&#215；512可见光CCD，实现了背照式成像。

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