作者：施朝霞,朱大中 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2014年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2014020010 DOC编号：DOCCGJS2014020019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管，建立了双结深光电二极管的光电响应模型，并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路，单个像素尺寸为100μm&#215；100μm，采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm，双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux&#183；s)，双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux&#183；s)。结果表明，采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度，可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。

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