《低温下硅晶体与无氧铜接触热阻实验方法的数值模拟研究》PDF+DOC
作者:李彬,高立丹
单位:中国电子科技集团公司第十六研究所
出版:《低温与超导》2014年第04期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDWYC2014040020
DOC编号:DOCDWYC2014040029
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硅晶体与无氧铜界面之间的接触热阻影响第三代同步辐射光源中承受高热负荷的硅晶体单色器冷却结构性能优化设计。实际测量固体界面处接触热阻时,温度传感器安装方式和加热功率均影响实验准确性。文中利用数值模拟方法从这两方面对接触热阻计算偏差进行分析。结果表明,焊接或粘贴方式安装温度传感器使测温更加接近真实情况,并且测量接触热阻越小,加热功率可调范围越小,对测量仪器精度要求越高,进而对实际测量方法的选择有现实指导意义。
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