作者：杜伟伟,唐晓莉,苏桦,张怀武 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2014年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2014040450 DOC编号：DOCYDSG2014040459 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 该文采用高真空磁控溅射技术分别制备了无缓冲层的NiFe/IrMn和IrMn/NiFe及有缓冲层的IrMn/NiFe 3种结构薄膜，并用振动样品磁强计对样品磁性能进行测试。结果表明，直接在Si上淀积NiFe/IrMn和在适当厚度的Ta/NiFe或Cu层作为缓冲层上淀积IrMn/NiFe的2种结构，有很大的交换偏置场。这样大的交换偏置场适合应用于顶钉扎和底钉扎结构的自旋阀巨磁电阻器件。

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