《CMOS工艺X射线图像传感器设计》PDF+DOC
作者:孟丽娅,袁松,王庆祥
单位:中国原子能科学研究院
出版:《原子能科学技术》2014年第10期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYZJS2014100280
DOC编号:DOCYZJS2014100289
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本文设计了一种不需闪烁体或增感屏,直接对X射线进行探测成像的线阵图像传感器,对其电荷收集进行了理论分析,设计了辐射加固的光敏元结构。采用0.5μm DPTM CMOS工艺,针对单个像元内含不同个数光敏元的结构进行了流片和X射线实验测试。测试结果表明:该图像传感器暗信号电压约为1V,随像元内光敏元个数的增加暗信号电压增大;饱和输出电压为2.4V;随光敏元个数的增加,电荷收集总量增加,总寄生电容也同时增加,所设计的单个像元含3个光敏元的结构能得到相对更大的有效输出电压。
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