作者：李欣,王禄娜,郭士亮,李志全,杨明 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2014150280 DOC编号：DOCWLXB2014150289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文提出了一种基于U形波导耦合单微环结构的新型SOI(绝缘体上硅)温度传感器.温度变化引起感温部位有效折射率和长度变化，导致传感器的输出光谱发生漂移.根据传输矩阵法和耦合模理论，设计了新型传感器模型，并且分析了感温部位不同时系统输出光谱特性.结果表明：当U形波导耦合单微环整体结构感温时，输出光谱无伪模，消光比达到31 dB，可作为最佳感温元件.相比于传统的双直波导耦合单微环结构，当U形波导的两个耦合点间的距离为微环周长的整数倍数时，FSR(自由光谱范围)可加倍至56 nm，灵敏度提高到89.2 pm/?C，测量范围为298—720 K，实现了SOI微环谐振器的高温测量。

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