作者：晋孝峰,岳素格,刘丽艳,陈淼,赵岳,王春芳 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》2014年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU2014010290 DOC编号：DOCDZXU2014010299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分，其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOS APS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析，并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中，设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路，一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换，另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现，两种方案各具特点，分别适用不同的应用要求.仿真结果表明，两种电路方案均能够使动态范围提高2~3dB，增强像素抗饱和能力，同时消除了图像滞后与弱光下的非线性。

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