《基于微接触印刷的ZnO紫外传感器特性研究》PDF+DOC
作者:孙永娇,高翻琴,赵振廷,张文栋,胡杰
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2014年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2014020140
DOC编号:DOCCGQJ2014020149
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采用微接触印刷技术和水热生长方法在硅基底上实现了ZnO种子层的图案化转移与纳米线阵列的可控制备。利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等测试手段对制备的ZnO纳米线晶体结构、化学组分以及表面形貌进行了表征,并对制备的ZnO纳米线传感器进行了紫外特性测试。测试结果表明:随着紫外光强度的增加,传感器的光暗电流比和光响应度也随之增加。当紫外传感器偏压在4.5 V时,其光暗电流比为80.8,响应度可达4.05 A/W。
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