作者:吴治军,李毅强,阳怡伟 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2014年第05期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2014050040 DOC编号:DOCBDTG2014050049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 提出了一种基于6T像素结构的全局曝光CMOS图像传感器。通过采用PPD结构的6T像素、高复位电平和低阈值器件,提高了动态范围,并优化设计了像素单元的版图,使之获得较高的填充系数;模拟读出电路部分,通过采用双采样、增益放大和减小列级固定模式噪声(FPN)处理,以及对列选控制电路进行优化,减小了对全局PGA的运放设计要求。芯片的工作频率为20MHz,动态范围为66dB,实现了全局曝光方式CMOS图像传感器的设计。

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