作者：曹培江,彭双娇,韩舜,柳文军,贾芳,曾玉祥,朱德亮,吕有明 单位：中国物理学会发光分会;中科院长春光机所 出版：《发光学报》2014年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFGXB2014040180 DOC编号：DOCFGXB2014040189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构，并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示：合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm~100μm之间，传感器最佳工作电流区间为120~130 mA，其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127，展现出优异的气敏特性。在4种结构中，微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高，结合气敏测试与荧光光谱结果，我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。

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