作者：张艳敏,王权,李昕欣 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2014年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2014020060 DOC编号：DOCYBJS2014020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器芯片，采用由低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的低应力氮化硅(LS SiN)薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜淀积在LS SiN薄膜上，通过结构和位置的优化设计，干法腐蚀制作形成力敏电阻条。制作了压力量程从60 kPa到1 MPa的传感器芯片。试验测试了量程60 kPa压力传感器的长期稳定性，结果表明在室温环境下时，压力传感器显示了较稳定的长时输出，且用LPCVD低温二氧化硅密封的真空参考压力腔没有泄漏问题出现。该超小型传感器制造成本低，具有广泛应用的前景。

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