作者:施朝霞,曹全君,常丽萍 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2014年第06期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2014060200 DOC编号:DOCCGQJ2014060209 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器,该传感器采用P+/Nwell/Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器(CTIA)有源像素电路结构。传感器采用0.5μm CMOS工艺实现,测试结果表明:双结深光电二极管在波长532 nm时具有峰值灵敏度为2×10-8A·m2/W,CTIA有源像素结构在光照6lx、积分时间为310μs时的灵敏度可以达到2243 V/lx·s。该设计表明:采用双结深光电二极管单元的CTIA有源像素电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度。

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