作者:陈德勇,曹明威,王军波,焦海龙,张健 单位:中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版:《光学精密工程》2014年第05期 页数:8页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGXJM2014050180 DOC编号:DOCGXJM2014050189 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究》PDF+DOC2013年第06期 曹明威,陈德勇,王军波,焦海龙,张健 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《一种基于微熔技术的MEMS大量程压力传感器》PDF+DOC2018年第06期 卞玉民,鲁磊,杨拥军 《全对称谐振式压力传感器结构设计与仿真分析》PDF+DOC2012年第03期 江毅文,杜晓辉,占瞻,徐布磊,吕文龙,王凌云,孙道恒 《MEMS氮化钛谐振式压力传感器研究》PDF+DOC2010年第01期 杨川,郭灿 《一种新型微机械谐振式压力传感器研究》PDF+DOC2009年第06期 史晓晶,陈德勇,王军波,毋正伟,刘磊 《一种谐振式MEMS压力传感器单芯片级真空封装和低应力组装方法》PDF+DOC2013年第06期 张健,王军波,曹明威,陈德勇 《基于稳态扫频的MEMS谐振压力传感器芯片测试》PDF+DOC2013年第04期 李晓莹,张艳飞,任森,邓进军,苑伟政 《谐振式MEMS压力传感器的设计与分析》PDF+DOC2019年第12期 许高斌,胡海霖,徐枝蕃,陈兴,马渊明 《谐振式压力传感器的新进展》PDF+DOC1994年第01期 白韶红
  • 为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜;然后,通过氢氟酸缓冲液腐蚀SOI晶圆的二氧化硅层释放可动结构。最后,利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔,通过硅-玻璃阳极键合实现谐振梁的圆片级真空封装和电连接,成功地将谐振器封装在真空参考腔中。对传感器的性能测试表明:该真空封装方案简单有效,封装气密性良好;传感器在10kPa~110kPa的差分检测灵敏度约为10.66 Hz/hPa,线性相关系数为0.99999 542。

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