作者：乔夫龙,耿金鹏,许鹏凯 单位：上海贝岭股份有限公司 出版：《集成电路应用》2018年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDL2018070100 DOC编号：DOCJCDL2018070109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响》PDF+DOC2016年第03期 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧 《可消除时间延时积分型CMOS图像传感器中3管像素复位噪声的读出方法（英文）》PDF+DOC2015年第01期 徐超,高静,高志远,韩立镪,姚素英 《集成PIN光敏元的CMOS探测器光电响应特性研究》PDF+DOC2019年第05期 杨成财,鞠国豪,陈永平 《一种具有高填充因数和动态数字双采样技术的CMOS图像传感器(英文)》PDF+DOC2006年第02期 刘宇,王国裕 《深亚微米CMOS有源图像传感器技术》PDF+DOC2003年第04期 裴志军,国澄明,姚素英,赵毅强 《高动态范围条件重置方法的改进研究》PDF+DOC2008年第31期 孙立雷,朱玮,王春阳,刘华军,张鹏 《基于定点DSP的CMOS数字视频监控终端设计》PDF+DOC2003年第06期 段传华,陈广旭,王明俊,张树才 《CMOS图像传感器与CCD的比较及发展现状》PDF+DOC2001年第S1期 宋勇,郝群,王涌天,王占和 《CMOS图像传感器研究》PDF+DOC2007年第09期 陈剑,杨银堂 《一种改善CMOS图像传感器性能的复位控制电路设计》PDF+DOC2013年第11期 晋孝峰,岳素格,刘丽艳,赵岳,王春芳

    • 为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity)，需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区，相比较单一的光刻胶，引入TRL(TriLayer：PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比，&gt；20)的图案掩模。其中，DPW IMP阻挡掩模可以做到更厚，约4.2μm，DPW pattern的space可以做到更小，约0.2μm。该工艺革新为后续deeper DPW IMP，pixel shrinking，同时提升CIS器件的FWC光素性能提供了可能，针对引入TRL的干刻工艺的主要建立过程予以技术说明。

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