作者：魏小平,梁顺超,黄文刚,李建平 单位：中国化学会;中国科学院长春应用化学研究所 出版：《》 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFXHX2016030050 DOC编号：DOCFXHX2016030059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 制作了一种基于光电流检测的分子印迹传感器，并应用于Ni~(2+)测定。此传感器以Cd Te量子点为光电材料，将量子点覆盖在导电玻璃表面，并在此层上以光聚合法制作镍-1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚(PAN)分子印迹膜。365 nm紫外光作为激发光源，量子点在光照下生成电子-空穴对，电子与电子受体-抗坏血酸作用形成的光电流作为检测信号，根据“门效应”进行Ni2+检测。实验中对配合物进行了红外表征，对量子点进行了紫外和荧光表征，对洗脱吸附时间和底液中抗坏血酸浓度的用量进行了优化。实验表明Ni2+浓度在5&#215；10~(-11)~5&#215；10~(-8)mol/L的范围内与光电流大小呈线性关系，检出限达8.3&#215；10~(-12)mol/L。此传感器具有较好的选择性，已用于水样分析。

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