作者：赵忆,王家畴,陈方,李昕欣 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2015年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2015060090 DOC编号：DOCBDTQ2015060099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了一种新型单片集成电容式三轴微加速度计的加工方法，该方法采用非绝缘体上硅(SOI)的单硅片单面加工技术，易于与IC工艺兼容，而且成本低廉，成品率高，适用于批量生产，可替代传统的SOI工艺。该方法主要利用硅深度反应离子刻蚀(DRIE)技术结合普通(111)单晶硅片内部可选择性横向自停止腐蚀技术制作并释放得到悬浮可动的敏感结构。此外，创新的锚点设计不仅使检测电极之间相互电学隔离，而且便于引线键合与封装。最后基于开环接口电路对加工制造的三轴加速度计进行了测试，验证了该工艺的可行性。

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