作者:谢炜,冯全源 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2017年第12期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2017120060 DOC编号:DOCDZAL2017120069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器》PDF+DOC2016年第04期 李硕明 《集成于无源RFID标签的温度传感器设计》PDF+DOC2017年第06期 王磊,邓芳明,吴翔,付智辉,谭畅 《采用双振荡器结构的低功耗CMOS温度传感器》PDF+DOC2016年第06期 彭华,王用鑫 《面向RFID标签的COMS低功耗温度传感器设计》PDF+DOC2016年第06期 何欢 《低功耗小尺寸片上温度传感器设计》PDF+DOC2020年第06期 孔德钰,刘洋 《MOS环振式数字加速度传感器》PDF+DOC2003年第12期 张兆华,岳瑞峰,刘理天 《混频式环振压力传感器》PDF+DOC2003年第S2期 张兆华,岳瑞峰,刘理天 《新型低功耗CMOS片上温度传感器设计》PDF+DOC2011年第07期 林荣,蔡敏,黄伟朝,李正平 《集成CMOS环形振荡器频漂补偿的实现》PDF+DOC2011年第05期 曹新亮,余宁梅,杨喆 《新型全CMOS片上温度传感器设计》PDF+DOC2006年第03期 林赛华,杨华中
  • 设计了一种应用于数字电源的新型温度自校准高精度片上振荡器。该振荡器利用片内集成的环形振荡器作为“温度传感器”,环形振荡器的偏置电流设计成与热力学温度成正比,输出时钟信号频率对温度变化高度敏感,以此作为温度校准的参考信号,经过数字自校准算法产生控制RC振荡器充电电流大小的信号,校准RC振荡器输出时钟频率,从而完成片上实时温度自校准的功能。采用双比较器加SR触发器对称结构,降低比较器延迟误差。电路基于0.18μm BCD工艺模型,采用Cadence和Hspice进行仿真。仿真结果表明,在–55~+155℃温度范围内,振荡器输出中心频率为10.1 MHz,振荡器的频率随温度变化的偏移量在±0.6%以内。

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