作者：张林,杨小艳,高攀,张赞,胡笑钏,高恬溪 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2017年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2017020060 DOC编号：DOCBDTJ2017020069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理，分析了影响传感器灵敏度的因素，SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响，而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明，SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明，两种传感器的最高工作温度均超过400℃，其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度，而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明，SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。

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