作者：盛良,张震,张检民,徐作冬 单位：西北核技术研究所;国防工业出版社 出版：《现代应用物理》2015年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYYWL2015030060 DOC编号：DOCYYWL2015030069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 开展了632.8nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究，获得了632.8nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值。实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强；连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰；分析了CMOS串扰现象与CCD的不同。用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法，定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度。

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