作者：赵博硕,强晓永,秦岳,胡明 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2018050270 DOC编号：DOCWLXB2018050279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC2019年第02期 胡明,秦岳,赵博硕,强晓永,周立伟 《氧化钨基室温气敏传感器的研究进展》PDF+DOC2016年第10期 尤佳骏,耿欣,吴雨晴,张超 《基于纳米WO_3半导体材料的NO_2气体传感器的研究进展》PDF+DOC2016年第06期 谢骥,谢祯芳,胡校兵,吴益华,朱志刚 《钒掺杂W_(18)O_(49)纳米线的室温p型电导与NO_2敏感性能》PDF+DOC 秦玉香,刘凯轩,刘长雨,孙学斌 《纳米氧化钨气敏传感器研究进展》PDF+DOC2016年第12期 杨帆,尹桂林,葛美英,何丹农 《VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒结构的室温NH_3敏感性能研究》PDF+DOC2018年第12期 梁继然,张叶,杨然,赵一瑞,郭津榜 《In_2O_3纳米材料气敏传感器制备方法综述》PDF+DOC2020年第18期 刘子豪,彭立安,冶小芳,贾翠萍 《掺杂纳米NiO粉体材料的气敏性能研究》PDF+DOC2004年第04期 程知萱,李玲,陈海华,潘庆谊 《新型碳纳米管气敏传感器的研究进展》PDF+DOC2003年第10期 陈长伦,刘锦淮,何建波 《氧化钨纳米线-单壁碳纳米管复合型气敏元件的室温NO_2敏感性能与机理》PDF+DOC 秦玉香,王飞,沈万江,胡明

    • 纳米结构的氧化钨有高比表面积和气体吸附能力，在气体传感器领域得到了广泛研究.本文采用磁控溅射金属钨薄膜和两步热氧化工艺在二氧化硅衬底上生长出氧化钨纳米线.通过改变第二步氧化温度，研究退火温度对氧化钨纳米线气敏特性的影响.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪和透射射电子显微镜表征材料的微观特性和晶体结构，利用静态配气法测试气敏性能.研究结果表明，经过退火处理后氧化钨纳米线密度略微降低，300℃比400℃退火后的氧化钨结晶性差，对应的表面态含量多，有利于室温气体敏感性.测试NO_2的气敏性能，经过对比得出300℃退火温度下制备的氧化钨纳米线在室温下表现出较很好的气敏响应，对6 ppm(1 ppm=10~(-6))NO_2达到2.5，对检测极限0.5 ppm NO_2响应达1.37.氧化钨纳米线在室温下表现出反常的P型响应，是因为氧化钨纳米线表面被氧气吸附形成反型层，空穴取代电子成为主要载流子所致。

    📙 相关资料

    1. 《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC 针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO_2气体灵敏度较低、选择性不强的问题，采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO_3纳米线，制备出WO_3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器。对WO_3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析，测试了传感器室温下对......
    2. 《氧化钨基室温气敏传感器的研究进展》PDF+DOC 氧化钨(WO_3)基半导体气体传感器对NO_2等气体具有较好的气敏特性。为了将传感器工作温度降低至室温，研究者们尝试了各种方法，如合成新型纳米材料、紫外光和可见光照射等。主要介绍了近年来WO_3基气敏材料在室温条件下其气敏性能的最新研究进展，展现了近年来WO_3基室温气体传感器的最新研究成果。并提出......
    3. 《基于纳米WO_3半导体材料的NO_2气体传感器的研究进展》PDF+DOC WO_3作为N型半导体材料，具有优良的气敏性能。目前人们对NO_2气体的检测做了大量的研究，并一致认为WO_3半导体材料在NO_2气体检测方面，具有很大的应用潜力。本文综述了WO_3纳米材料对NO_2气体的气敏性能的研究进展，介绍了N型半导体WO_3纳米材料的气敏传感机理，及通过对WO_3纳米材料的......
    4. 《钒掺杂W_(18)O_(49)纳米线的室温p型电导与NO_2敏感性能》PDF+DOC 钨氧化物纳米线在高灵敏度低功耗气体传感器中极具应用潜力，且通过掺杂改性可进一步显著改善其敏感性能.本文以WCl6为钨源，NH4VO3为掺杂剂，采用溶剂热法合成了钒掺杂的W18O49纳米线.利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱仪表征了纳米线的微结构，并利用静态气敏性能测试系统评价了掺杂......
    5. 《纳米氧化钨气敏传感器研究进展》PDF+DOC 在对各种有害气体检测的研究领域内，纳米半导体金属氧化物气敏传感器有着十分重要的地位。作为一种n型半导体金属氧化物，氧化钨因其独有的结构和性能特点，成为近年来气敏材料的研究重点和热点。本文简单介绍氧化钨系气敏材料的气敏响应机理，总结近年来改良和提高纳米氧化钨材料气敏性能的主要工艺和方向，最后指出其自身......
    6. 《VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒结构的室温NH_3敏感性能研究》PDF+DOC 以VO_2(B)纳米棒为内核，利用液相生长法制备了VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒，研究了ZnO生长溶液浓度对复合结构微观形貌和气敏性能的影响规律。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对复合结构样品的微观形貌和结晶取向进行表征，并测试了复合结构对NH_3的敏感性能。实验结果表明，随着ZnO种子液浓度......
    7. 《In_2O_3纳米材料气敏传感器制备方法综述》PDF+DOC 氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，是一种重要的n型半导体。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能，被广泛应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能，如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等，与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文对近年来......
    8. 《掺杂纳米NiO粉体材料的气敏性能研究》PDF+DOC 采用固相研磨法对纳米NiO粉体气敏材料进行掺杂，用静态配气法测试了掺杂后材料对还原性气体的气敏性能.结果表明：掺杂WO3可以明显地提高纳米NiO的检测灵敏度，且随着掺杂量的增加，灵敏度提高显著。...
    9. 《新型碳纳米管气敏传感器的研究进展》PDF+DOC 该文综述了新型的单壁碳纳米管SWNT、多壁碳纳米管MWNT、多壁碳纳米管阵列气敏传感器的制备、结构特点、气敏性能和未来的发展方向。...
    10. 《氧化钨纳米线-单壁碳纳米管复合型气敏元件的室温NO_2敏感性能与机理》PDF+DOC 利用溶剂热法合成了一维的氧化钨纳米线，通过掺入适量单壁碳纳米管(SWNT)制备了基于氧化钨纳米线-SWNT复合结构的室温气敏元件并评价了其对NO_2气体的室温敏感性能.利用X射线与扫描电子显微镜表征了材料的微结构，结果表明，合成的氧化钨纳米线具有单斜的W_(18)O_(49)结构，复合材料中SWNT......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。