作者：罗景庭,钟鑫,朱茂东,古迪,柯鹏飞,刘梓昇,钟增培,范平 单位：深圳大学 出版：《深圳大学学报(理工版)》2015年第01期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSZDL2015010030 DOC编号：DOCSZDL2015010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用传统射频磁控溅射技术，通过引入Si O2缓冲层以及调节工作气压的方法，在Si衬底上制备具有高度(1120)择优取向的Zn O薄膜.采用X射线衍射技术和原子力显微镜分析Zn O薄膜的晶体特性和择优取向.研究发现，引入Si O2缓冲层能显著减小Zn O/Si O2/Si三层结构声表面波器件的温度延迟系数(temperature coefficient of delay，TCD)，当Si O2缓冲层厚度为200 nm时，Zn O薄膜同时具有(0002)和(1120)择优取向，且TCD值仅为2&#215；10-6℃-1左右，说明器件温度稳定性佳.当工作气压降低时，Zn O(1120)择优取向增强，相应的声表面波器件的机电耦合系数(K2)也增大.在大机电耦合系数和高温度稳定性的Zn O/Si O2/Si三层结构的基础上，有望制作出高性能的Love波声表面波生物传感器。

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