作者：张玉才 单位：湖南化工医药设计院 出版：《化工设计通讯》2015年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWGTX2015050290 DOC编号：DOCWGTX2015050299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 三氧化钨是一种n型半导体，它的禁带宽度在2.5-3.5eV之间，是一类宽禁带的氧化物。作为一类具有开发潜力的半导体材料，它在气体传感器、光催化、显示器等方面都有着广泛的应用前景。由于形貌对纳米材料的性能和尺寸有着重要的影响，因此制备和研究不同结构和形貌的三氧化钨受到了越来越多研究者的青睐。

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