作者：揣荣岩,刘升阳,张晓民,杨宇新 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2018年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2018060030 DOC编号：DOCYBJS2018060039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 随着微机电系统(MEMS)技术的发展，出现了高g值加速度敏感芯片，但因所受惯性力巨大，其综合性能难以提升，特别是过载和交叉耦合问题尤为突出。利用有限元法对带有微梁的高g值加速度敏感结构进行了仿真分析，给出了结构优化的设计方法，在保证灵敏度的同时，显著提高芯片固有频率和抗过载能力。在芯片的质量块与边框连接处设计了具有补偿作用的凹槽，有效减小了敏感芯片的交叉耦合。所设计量程为105g的敏感芯片满量程输出约为21.42 m V，固有频率约1.025 MHz，交叉耦合约4.24%，过载可达6.5倍量程以上。

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