《国际半导体技术发展路线图(ITRS)2013版综述(3)》PDF+DOC
作者:黄庆红
单位:中国半导体行业协会
出版:《中国集成电路》2014年第11期
页数:13页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFJCDI2014110080
DOC编号:DOCJCDI2014110089
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8新型研究材料8.1范围新型研究材料(ER M)一章提供对具体研究挑战的指导,这些挑战必须在实验室中通过对新型候选材料系列的研究而解决,以保障成为可行的ITR S解决方案。每个国际技术工作组(ITW G)都已经决定,需要应用显著改善性能的新材料,以满足未来技术要求,促使器件密度增加并提高能源效率以用于计算和可靠性。基于这些要求,本章已经确认有潜力满足改进密度、能源效率和可靠性特性需求的新型
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