《基于SOI薄膜的硅压敏电阻变化率计算方法》PDF+DOC
作者:李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,洪应平,齐蕾,杨帆,熊继军
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《微纳电子技术》2015年第06期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTQ2015060080
DOC编号:DOCBDTQ2015060089
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用小挠度方形膜作为理论模型,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)敏感薄膜的硅压敏电阻变化率新型积分计算方法。针对传统中心点计算方法的不足,通过整个平面积分的方法计算电阻变化率,并计算出输出电压和外部气压的关系表达式,与传统中心点计算方法进行比较;同时,利用仿真的方法算出灵敏度,并将计算的理论值与实验值进行比较。实验结果表明,外界温度不变,当输入电压为5 V、单个压敏电阻值为4.5 kΩ时,敏感芯片的灵敏度为6.028 3×;10-4 mV/Pa。该灵敏度值相比传统中心点法和仿真计算方法,与采用新型积分计算方法的计算值更接近。
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