作者:李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,洪应平,齐蕾,杨帆,熊继军 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2015年第06期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2015060080 DOC编号:DOCBDTQ2015060089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真》PDF+DOC2020年第02期 王尊敬,李闯,涂孝军,路翼畅 《基于SOI岛膜结构的高温压力传感器》PDF+DOC2018年第09期 杨娇燕,梁庭,李鑫,李旺旺,林立娜,李奇思,赵丹,雷程,熊继军 《SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备》PDF+DOC2018年第06期 李鑫,梁庭,赵丹,雷程,杨娇燕,李志强,王文涛,熊继军 《基于SOI的MEMS压阻式高温压力敏感芯片的研制》PDF+DOC2017年第01期 姚宗,梁庭,张迪雅,李旺旺,齐蕾,熊继军 《圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》PDF+DOC2019年第02期 齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷,吴佐飞 《压阻式压力传感器灵敏度的仿真方法》PDF+DOC2019年第02期 杨娇燕,梁庭,李鑫,林立娜,李奇思,赵丹,雷程,熊继军 《SOI压力传感器阳极键合残余应力研究》PDF+DOC2018年第11期 李玉玲,王明伟,张林超,吴佐飞 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究》PDF+DOC2013年第12期 许高斌,李凌宇,陈兴,马渊明
  • 用小挠度方形膜作为理论模型,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)敏感薄膜的硅压敏电阻变化率新型积分计算方法。针对传统中心点计算方法的不足,通过整个平面积分的方法计算电阻变化率,并计算出输出电压和外部气压的关系表达式,与传统中心点计算方法进行比较;同时,利用仿真的方法算出灵敏度,并将计算的理论值与实验值进行比较。实验结果表明,外界温度不变,当输入电压为5 V、单个压敏电阻值为4.5 kΩ时,敏感芯片的灵敏度为6.028 3×10-4 mV/Pa。该灵敏度值相比传统中心点法和仿真计算方法,与采用新型积分计算方法的计算值更接近。

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