作者：吕凤军,斯永敏,傅国如,徐志刚 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2006年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2006040190 DOC编号：DOCBDTG2006040199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用磁控溅射工艺制备了TbDyFe-FeNi多层膜/光纤复合结构，并搭建M-Z干涉仪磁场检测系统对复合结构的磁敏性能进行试验测试。实验结果表明，在调制磁场频率为复合结构的固有频率的条件下，系统对磁场信号感应强度最大；系统输出信号大小随调制磁场强度线性增加，添置恒定直流磁场后，系统响应信号大小明显增强。在0~48 kA/m的直流磁场范围内，干涉仪(传感臂有效长度为10 cm)信号响应灵敏度为6.05&#215；10-5rad/(Hz.kA.m-1)；当多层膜厚度增加到5μm时，干涉仪信号响应灵敏度变为6.07&#215；10-5rad/(Hz.kA.m-1)。

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