作者：杨莺,朱大中 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2006年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2006040380 DOC编号：DOCCGJS2006040389 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用P矩阵方法分析带变迹叉指换能器(IDT)和倾斜金属反射栅的高Q值Y型声表面波(SAW)质量沉积传感器的通带纹波，并分别在振荡和非振荡模式下比较了这些传感器的通带纹波和Q值。分析了获得高Q值的原因。理论和实验结果表明：均匀孔径无反射栅的传感器旁瓣抑制为10dB，振荡模式下其Q值为5289；通过孔径变迹设计，传感器的旁瓣抑制和Q值分别改善到25dB和8689；而对孔径变迹并加入倾斜反射栅的传感器，这两个参数提高到25dB和12477。非振荡模式下带反射栅的传感器比没有反射栅器件的通带纹波约低2dB。因此，变迹IDT和金属反射栅的应用是SAW质量传感器Q值的改善的两个重要因素。由于Q值改善，质量沉积灵敏度达到5.24GHz.cm2/g

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