作者:张洵,王鹏,靳东明 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2006年第09期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2006090320 DOC编号:DOCBDTX2006090329 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50~150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放负反馈结构对电源电压具有较高的抑制,在2~6V的范围内都能得到正确的输出结果.芯片实测,温度灵敏度为0.77V/℃.因为基于CMOS亚阈值特性产生了电路的偏置电流,所以工作电流仅16μA.芯片面积300μm×250μm.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统中,在计算机、汽车电子、生物医学等领域有着广阔的应用前景。

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