作者：赵明静,谢光忠,太惠玲,蒋亚东 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2006年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2006070030 DOC编号：DOCCGSJ2006070039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用化学氧化聚合法制备了3，4-聚乙撑二氧噻吩(简称PEDT)，并运用SEM和红外吸收光谱对其薄膜进行表征；同时将其沉积在N沟道耗尽型无金属栅场效应管上，形成以PEDT膜取代MOSFET栅金属的化学场效应管(ChemFET)气体传感器，研究了其对氨气和温度的敏感特性。研究表明在氨气浓度低于54ppm的情况下，ChemFET的漏电流随着氨气浓度的增加而减小，其变化量(△IDS)随氨气浓度的变化呈线性关系；同时漏电流随着负的衬底电压的增加而减小，随着温度的升高而降低。

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