《CMOS集成温度传感器中的器件模型分析》PDF+DOC
作者:熊琦,曾健平,彭伟,曾云
单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版:《电子与封装》2006年第07期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDYFZ2006070080
DOC编号:DOCDYFZ2006070089
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《CMOS集成温度传感器》PDF+DOC2016年第04期 付秀兰,高艳丽,庞遵林
《灵敏的CMOS温度传感器》PDF+DOC1990年第03期 P·Krummenacher,H·Oguey,柯导明
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《集成电流型温度传感器的研究》PDF+DOC1989年第04期 方培生,莫敏
《半导体温度传感器及其芯片集成技术》PDF+DOC2003年第12期 林凡,吴孙桃,郭东辉
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《一种新型CMOS集成温度传感器的设计》PDF+DOC2008年第02期 江利,黄得松
《基于动态元件匹配的CMOS集成温度传感器设计》PDF+DOC2007年第11期 江海,吕坚,徐建华,蒋亚东
《半导体温度传感器研究进展综述》PDF+DOC2006年第03期 张洵,靳东明,刘理天
根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。
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