作者:赵艳平,丁建宁,杨继昌,王权,薛伟 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2006年第09期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2006090060 DOC编号:DOCBDTQ2006090069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《微型高温压力传感器芯片设计分析与优化》PDF+DOC2006年第05期 赵艳平,丁建宁,杨继昌,王权,薛伟 《耐高温压力传感器的设计研究》PDF+DOC2008年第10期 陈雨,杨继昌,丁建宁 《压阻式金刚石压力传感器的优化设计》PDF+DOC2002年第03期 莘海维,张志明,戴永斌,沈荷生 《一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器》PDF+DOC2015年第04期 何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 《微压力传感器参数设计及灵敏度分析》PDF+DOC2011年第07期 郑玮玮,刘学观,赵光霞 《压力传感器和优化设计》PDF+DOC1995年第01期 萧敬勋,杨庆新 《压阻式微型压力传感器微型化限制因素的研究》PDF+DOC1988年第01期 吴宪平,鲍敏杭 《基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作》PDF+DOC2005年第08期 王权,丁建宁,王文襄,熊斌 《E型碳化硅压力传感器的优化设计》PDF+DOC2004年第04期 林文琼,杨银堂,汪家友,李跃进 《SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计》PDF+DOC2003年第01期 倪智琪,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新
  • 用弹性力学和板壳力学理论分析了半导体硅压阻式压力传感器方形膜片的受力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;利用有限元分析方法和借助ANSYS仿真软件,对微型硅压阻式高温压力传感器应变膜进行了一系列的分析和计算机模拟,探讨了传感器方形应变膜简化应力模型的合理性以及温度对应力差分布的影响,得到了直观可靠的结果。

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