作者：石云波,祁晓瑾,刘俊 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2006年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2006070170 DOC编号：DOCBDTJ2006070179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 根据引信环境信息探测的要求，设计了一种新型MEMS高g值压阻式加速度传感器敏感元件。通过ANSYS仿真对该结构进行了量程分析、抗过载分析、灵敏度分析及横向灵敏度分析，提供了一种新的阻尼设计方法。结合过载保护设计，较好地实现了结构阻尼控制与过载保护的融合。最后设计了一套可行的加工工艺。

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