作者： 单位：北京新材料发展中心 出版：《新材料产业》2017年第12期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXCLY2017120190 DOC编号：DOCXCLY2017120199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 构建金刚石金属氧化物半导体场效应管的全新概念近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使金刚石MOSFET的结构更为简单，降低了制造难度。验证表明，新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提高一个数量级。

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