作者：刘宇,王国裕 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》2006年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ2006030140 DOC编号：DOCGTDZ2006030149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN)，设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术；该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果，其电路结构简单，适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划，采用Chartered0.35μmCMOS工艺制作了测试ASIC芯片，试验结果表明动态数字双采样技术有效抑制了FPN噪声。

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