《新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究》PDF+DOC
作者:韩弼,徐静平,李艳萍,陈卫兵,邹晓,李春霞
单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所
出版:《压电与声光》2006年第02期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYDSG2006020160
DOC编号:DOCYDSG2006020169
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采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
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